粉體行業在線展覽
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上海沃埃得貿易有限公司
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面議
1081
| 1. | 設備名稱： | 霍爾效應測試儀 |
| 2. | 功能描述： | 測量半導體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等參數 |
| 3. | 設備明細： | |
| 3-1 | 測試范圍： | Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N Type & P Type)等材質的半導體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等參數 |
| 3-2 | 磁場： | |
| 3-2-1 | 磁場強度： | 0.5T 電磁體 （0.5T 永磁體 / 1.4T 電磁體 兩種磁場可選） |
| 3-2-2 | 磁場類型： | 電磁體 |
| 3-2-3 | 磁場均勻性： | 磁場不均勻性＜±1 % |
| 3-3 | 測試樣品： | |
| 3-3-1 | 樣品測試倉： | 全封閉、帶玻璃窗口 |
| 3-4 | 溫 度： | |
| 3-4-1 | 溫度區域： | 80K ~730K |
| 3-4-2 | 溫控精度： | 0.1K |
| 3-4-3 | 溫控穩定性： | ±0.1 K |
| 3-5 | 電阻率范圍： | 10-6~1013 Ohm*cm |
| 3-6 | 電阻范圍： | 10 m Ohms~ 10G Ohms |
| 3-7 | 載流子濃度： | 102~1022cm-3 |
| 3-8 | 遷移率： | 10-2~109 cm2/volt*sec |
| 3-9 | 輸入電流： | |
| 3-9-1 | 電流范圍： | 0.1 pA~10mA |
| 3-9-2 | 電流精度： | 2% |
| 3-10 | 輸入電壓： | |
| 3-10-1 | 電壓范圍： | ±2.5V，*小可測到6×10-6V |
| 3-10-2 | 電壓分辨率： | 3×10-7V |
| 3-10-3 | 電壓精度： | 2% |
BSD-660
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