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Hall8800霍爾效應測試儀器常溫&液氮溫度測試系統

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上海沃埃得貿易有限公司

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產品介紹

1	應用范圍:	研究半導體器件和半導體材料電學特性、精密測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數

2	規格:
	2-1	Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm **樣品尺寸:15mm x15mm (可定制)
	2-2	Measurement Temperature: 300K (room temperature)， optional 77K. 測試溫度: 室溫、可選配液氮低溫77K
	2-3	Measurement Material: Semiconductors material such as Si， SiGe， SiC，GaAs， InGaAs， InP， GaN， ITO (N Type & P Type) 測試材質:半導體類材質、如： Si， SiGe， SiC， ZnO， GaAs， InGaAs， InP， GaN， ITO等所有半導體薄膜(P型和N型)
	2-4	Magnet Flux Density: 0.68 Tesla nominal ±1% of marked value 磁場強度: 0.68 Tesla ±1%
	2-5	Magbnet Stability: ±2% over 1 years 穩定性: ±2% （一年后）
	2-6	Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center 均勻度：± 1%(20mm直徑圓范圍內)
	2-7	Pole Gap: 20 mm 磁極間隙：20毫米
	2-8	Input voltage range: 1μV to 300V 輸入電壓范圍：1μV ~300V
	2-9	Hall voltage range: 10uV to 2000mV 霍爾電壓范圍: 10uV to 2000mV
	2-10	Resistivity (Ohm.cm): 10^-5 to 10⁷ 電阻率 (Ω.㎝): 10^-5 to 10⁷
	2-11	Mobility (cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷ 遷移率(cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷
	2-12	Carrier Density (cm^-3): 10⁷ ~ 10²¹ 載流子濃度(1/cm³): 10⁷ ~ 10²¹

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