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MOCVD設備（化學氣相沉積CVD）

可用于GaN、ZnO等的外延生長。

材料的輸運采取了超純的氣路系統，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術。由于組合閥具有極小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。

采用壓差控制技術控制組合閥的旁路和主路之間的壓力，大大降低了源的壓力和濃度波動，有利于材料生長的重復性和穩定性。

采用了管道鑲嵌式進氣噴頭，使反應源在襯底表面均勻混合并反應，大大降低了預反應的發生。

采用電阻式快速升降溫加熱爐。