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SilcoNert®2000（6，444，326和6，511，760）是非晶硅的化學保護屏障，其進一步官能化以提供可用的*惰性表面。通過應用化學氣相沉積（CVD），SilcoNert®2000非常適用于硫化物，汞，氨或其他活性化合物的痕量級測試精度（<百萬分之一）。

特色與優勢

? 非視距工藝；所有孔和復雜的幾何形狀都能被涂層

? 消除吸附和再測試

? 獲得更快的校準

? 對結果充滿信心

SilcoNert®2000 規格

薄膜材質：表面烴化的氫化非晶硅

鍍膜工藝：熱化學氣相沉積法(非等離子法)

使用溫度：450°C（惰性氣體），400°C（氧化性氣體）

基板要求:兼容性:不銹鋼合金，陶瓷，玻璃，鈦及大多數特殊金屬

尺寸:不超過78英寸(198厘米)

形狀:不限，可鍍任何復雜三維結構

標準厚度：100 - 500 nm

疏水性（接觸角）：>= 65°

允許接觸的pH值 ：0 - 8