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光致發光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可見或紅外輻射激發發光材料而產生的發光，在半導體材料的發光特性測量應用中通常是用激光（波長如325nm、532nm、785nm 等）激發材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）產生熒光，通過對其熒光光譜（即PL 譜）的測量，分析該材料的光學特性，如禁帶寬度等。光致發光可以提供有關材料的結構、成分及環境原子排列的信息，是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法，因而在物理學、材料科學、化學及分子生物學等相關領域被廣泛應用。

傳統的顯微光致發光光譜儀都是采用標準的顯微鏡與熒光光譜儀的結合，但是傳統的顯微鏡在材料的PL 譜測量中，存在很大的局限性，比如無法靈活的選擇實驗所需的激光器（特別對于UV 波段的激光器，沒有足夠適用的配件），無法方便的與超低溫制冷機配合使用，采用光纖作為光收集裝置時耦合效率太低等等問題，都是采用標準顯微鏡難以回避的問題。

北京卓立漢光儀器有限公司結合了公司十余年熒光光譜儀和光譜系統的設計經驗和普遍用戶的實際需求，推出了“OmniPLMicroS”系列顯微光致發光光譜儀，有效的解決了上述問題，是目前市場上**性價比的的顯微PL 光譜測量的解決方案。

性能特點：

• 一體化的光學調校——所有光學元件只需要在初次安裝時進行調校，確保高效性和易用 性

• 簡單易用的雙光路設計——可隨意在水平和垂直光路上進行切換，適用于各種常見的樣 品形態

• 超寬光譜范圍**——200nm-1600nm

• 視頻監視光路——可供精確調整測試點

• 獨有的發射光譜校正功能*——讓光譜測量更精準且具有可比性

• 多種激發波長可選**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等

• 自動mapping功能可選*——50mm×50mm測量區間，可定制特殊規格

• 電致發光(EL)功能可選*——擴展選項

• 顯微拉曼光譜測量功能可選*——擴展選項

• 超低溫測量附件可選*——提供10K以下的超低溫測量

*選配項，請詳細咨詢；

**需根據實際需要進行配置確定。

參數規格表*

應用:

不同制冷溫度下GaN材料的PL譜

激發波長：325nm，功率：20mW，制冷機*低制冷溫度：10K

ZnO材料的PL譜:

激發波長：325nm; ZnO 薄膜樣品在382nm 處有一個特別強的熒光譜帶，而在500 ～ 600nm 波段，有個弱的可見光熒光譜帶。通過研究這些譜帶，可以反映ZnO 表面態對熒光的影響以及晶型和缺陷信息。