粉體行業在線展覽
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常規C向襯底
直接聯系
江陰晶沐光電新材料有限公司
江蘇
面議
晶沐光電
常規C向襯底
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介紹：化學式(α-Al2O3)，為六方晶格結構。化學性質非常穩定，不溶于水，耐強酸、強堿的腐蝕。莫氏硬度9級，熔點為2050℃，沸點3500℃，**工作溫度可達1900℃。透光性好，熱傳導性和電氣絕緣性，力學機械性能表現優秀，具有耐磨和抗劃傷的特點。
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應用：LED（氮化鎵基LED）、激光二極管（藍光、紫外）、射頻器件（5G通信、雷達）、功率電子器件（電動汽車、工業電源）。
產品規格書
藍寶石常規C向單晶襯底（1~12英寸） | ||||||||
材料成分 | >99.99%，High Purity， Mono-crystalline Al2O3 (KY) | |||||||
直徑 | 25.4mm | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 125mm | 150mm | 200mm | 300mm |
厚度 | 500μm | 430μm | 500μm | 650μm | 800μm | 1000μm | 1200μm | 2000μm |
端面晶向 | C-plane（0001） off-angle toward M-axis（10-10） 0.2 +/- 0.1° | 0 ± 0.5° | ||||||
C-plane（0001） off-angle toward A-axis（11-20） 0 +/- 0.1° | 0 ± 0.5° | |||||||
定位邊晶向 | A-Plane（11-20） ± 1.0° | |||||||
定位邊長度 | 8mm | 16mm | 22mm | 30mm | 30mm | 47.5mm | Notch | Notch |
正面狀態 | Epi-polished,Ra<0.3nm | Epi-polished,Ra<0.5nm | ||||||
反面狀態 | SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm | DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm | ||||||
鐳刻碼面 | Back side | N/A | ||||||
總厚度偏差TTV | ≤5μm | ≤8μm | ≤10μm | ≤10μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤30μm |
彎曲度BOW | ≤8μm | ≤10μm | ≤12μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤45μm |
翹曲度WARP | ≤10μm | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤30μm | ≤60μm | ≤60μm |
邊緣去除 | ≤2 mm | ≤3 mm | ||||||
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產品性能表
藍寶石單晶 Sapphire | |
晶體結構 | 六方晶體 |
禁帶寬度(eV) | / |
熔點（℃） | 2040℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9 |
熱導率(W·cm-1·℃-1) | 0.46W·cm-1·℃-1 |
熱膨脹系數(℃-1) | 6.7*10-6 // C-axis |
晶格常數(nm) | a=4.76? c=12.99? |
折射率 | 1.762~1.777 |
透過率 | 測試樣品：藍寶石：直徑76.2毫米×厚度4毫米 |
