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>6英寸SiC襯底片

6英寸SiC襯底片

6英寸SiC襯底片

直接聯(lián)系

眉山博雅新材料股份有限公司

四川

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià)：

面議

品牌：

博雅新材

型號(hào)：

6英寸SiC襯底片

關(guān)注度：

97

產(chǎn)品介紹

眉山天樂(lè)半導(dǎo)體6英寸SiC襯底片產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)
6-inch SiC Substrate Specification
序號(hào)
Item		等級(jí)
Grade		精選級(jí)（Z級(jí)）
Zero MPD Grade		工業(yè)級(jí)（P級(jí)）
Production Grade		測(cè)試級(jí)（D級(jí)）
Dummy Grade
1.晶體參數(shù) Boule Parameters
1.1 晶型 Polytype4H-N
1.2表面晶向偏離度 Surface orientation errorOff axis：4.0°toward<11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.電學(xué)參數(shù) Electrical Parameters
2.1摻雜劑 DopantNitrogen
2.2電阻率 Resistivity0.015-0.028Ω·cm
3.機(jī)械參數(shù) Mechanical Parameters
3.1直徑 Diameter149.5mm-150.0mm
3.2厚度 Thickness350μm±15μm350μm±25μm
500μm±15μm500μm±25μm
3.3主定位邊方向 Primary Flat Orientation
{10-10}±5°
3.4主定位邊長(zhǎng)度 Primary Flat Length47.5mm±2.0mm
3.5局部平整度 LTV≤2.5μm≤2.5μm≤5μm
3.6總厚度變化 TTV≤5μm≤5μm≤15μm
3.7彎曲度**值 BOW≤25μm≤25μm≤40μm
3.8翹區(qū)度 Warp≤25μm≤35μm≤60μm
3.9正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) RoughnessRa≤0.1nm
4.結(jié)構(gòu) Structure
4.1微管密度 Micropipe density≤0.1cm-2≤0.2cm-2≤15cm-2
4.3螺位錯(cuò) TSD≤200cm-2≤500cm-2≤1000cm-2
4.4基平面位錯(cuò) BPD≤400cm-2≤800cm-2/
4.5刃位錯(cuò) TED≤2000cm-2≤4000cm-2/
5.正面質(zhì)量 Front Quality
5.1表面處理 Surface finishCMP
5.2顆粒 Particle


5.3劃痕 ScratchesNone
5.4缺口/崩邊/裂紋/疵點(diǎn)/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contaminationNone
5.5多晶型 Polytype areasNoneNoneCumulative area ≤3%
5.6正面激光標(biāo)記 Front marking/
6.背面質(zhì)量 Back Quality
6.1背面處理 Back finishCMP
6.2背面劃痕 ScaratchesNoneNoneCumulative length ≤1x wafer diameter
6.3背面缺口/崩邊 Back defects edge chip/indentsNone
6.4背面粗糙度 Back roughnessRa≤0.2 mmRa≤0.2 mmRa≤0.5 mm
6.5背面激光標(biāo)記 Back marking距離邊緣1mm ( from top edge)
7.邊緣輪廓 Edge
7.1邊緣輪廓 Edge exclusion3 mm
8.包裝 Packaging
8.1激光標(biāo)記 Laser Marking(carbon side)Carbon face
8.2包裝 Packaging單片或25片包裝
Notes: None means no request.
眉山天樂(lè)半導(dǎo)體6英寸SiC襯底片產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)
6-inch SiC Substrate Specification
序號(hào)
Item		等級(jí)
Grade		精選級(jí)（Z級(jí)）
Zero MPD Grade		工業(yè)級(jí)（P級(jí)）
Production Grade		測(cè)試級(jí)（D級(jí)）
Dummy Grade
1.晶體參數(shù) Boule Parameters
1.1 晶型 Polytype4H-N
1.2表面晶向偏離度 Surface orientation errorOff axis：4.0°toward<11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.電學(xué)參數(shù) Electrical Parameters
2.1摻雜劑 DopantNitrogen
2.2電阻率 Resistivity0.015-0.028Ω·cm
3.機(jī)械參數(shù) Mechanical Parameters
3.1直徑 Diameter149.5mm-150.0mm
3.2厚度 Thickness350μm±15μm350μm±25μm
500μm±15μm500μm±25μm
3.3主定位邊方向 Primary Flat Orientation
{10-10}±5°
3.4主定位邊長(zhǎng)度 Primary Flat Length47.5mm±2.0mm
3.5局部平整度 LTV≤2.5μm≤2.5μm≤5μm
3.6總厚度變化 TTV≤5μm≤5μm≤15μm
3.7彎曲度**值 BOW≤25μm≤25μm≤40μm
3.8翹區(qū)度 Warp≤25μm≤35μm≤60μm
3.9正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) RoughnessRa≤0.1nm
4.結(jié)構(gòu) Structure
4.1微管密度 Micropipe density≤0.1cm-2≤0.2cm-2≤15cm-2
4.3螺位錯(cuò) TSD≤200cm-2≤500cm-2≤1000cm-2
4.4基平面位錯(cuò) BPD≤400cm-2≤800cm-2/
4.5刃位錯(cuò) TED≤2000cm-2≤4000cm-2/
5.正面質(zhì)量 Front Quality
5.1表面處理 Surface finishCMP
5.2顆粒 Particle


5.3劃痕 ScratchesNone
5.4缺口/崩邊/裂紋/疵點(diǎn)/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contaminationNone
5.5多晶型 Polytype areasNoneNoneCumulative area ≤3%
5.6正面激光標(biāo)記 Front marking/
6.背面質(zhì)量 Back Quality
6.1背面處理 Back finishCMP
6.2背面劃痕 ScaratchesNoneNoneCumulative length ≤1x wafer diameter
6.3背面缺口/崩邊 Back defects edge chip/indentsNone
6.4背面粗糙度 Back roughnessRa≤0.2 mmRa≤0.2 mmRa≤0.5 mm
6.5背面激光標(biāo)記 Back marking距離邊緣1mm ( from top edge)
7.邊緣輪廓 Edge
7.1邊緣輪廓 Edge exclusion3 mm
8.包裝 Packaging
8.1激光標(biāo)記 Laser Marking(carbon side)Carbon face
8.2包裝 Packaging單片或25片包裝
Notes: None means no request.
眉山天樂(lè)半導(dǎo)體6英寸SiC襯底片產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)
6-inch SiC Substrate Specification
序號(hào)
Item		等級(jí)
Grade		精選級(jí)（Z級(jí)）
Zero MPD Grade		工業(yè)級(jí)（P級(jí)）
Production Grade		測(cè)試級(jí)（D級(jí)）
Dummy Grade
1.晶體參數(shù) Boule Parameters
1.1 晶型 Polytype4H-N
1.2表面晶向偏離度 Surface orientation errorOff axis：4.0°toward <11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.電學(xué)參數(shù) Electrical Parameters
2.1摻雜劑 DopantNitrogen
2.2電阻率 Resistivity0.015-0.028Ω·cm
3.機(jī)械參數(shù) Mechanical Parameters
3.1直徑 Diameter149.5mm-150.0mm
3.2厚度 Thickness350μm±15μm350μm±25μm
500μm±15μm500μm±25μm
3.3主定位邊方向 Primary Flat Orientation
{10-10}±5°
3.4主定位邊長(zhǎng)度 Primary Flat Length47.5mm±2.0mm
3.5局部平整度 LTV≤2.5μm≤2.5μm≤5μm
3.6總厚度變化 TTV≤5μm≤5μm≤15μm
3.7彎曲度**值 BOW≤25μm≤25μm≤40μm
3.8翹區(qū)度 Warp≤25μm≤35μm≤60μm
3.9正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) RoughnessRa≤0.1nm
4.結(jié)構(gòu) Structure
4.1微管密度 Micropipe density≤0.1cm-2≤0.2cm-2≤15cm-2
4.3螺位錯(cuò) TSD≤200cm-2≤500cm-2≤1000cm-2
4.4基平面位錯(cuò) BPD≤400cm-2≤800cm-2/
4.5刃位錯(cuò) TED≤2000cm-2≤4000cm-2/
5.正面質(zhì)量 Front Quality
5.1表面處理 Surface finishCMP
5.2顆粒 Particle


5.3劃痕 ScratchesNone
5.4缺口/崩邊/裂紋/疵點(diǎn)/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contaminationNone
5.5多晶型 Polytype areasNoneNoneCumulative area ≤3%
5.6正面激光標(biāo)記 Front marking/
6.背面質(zhì)量 Back Quality
6.1背面處理 Back finishCMP
6.2背面劃痕 ScaratchesNoneNoneCumulative length ≤1x wafer diameter
6.3背面缺口/崩邊 Back defects edge chip/indentsNone
6.4背面粗糙度 Back roughnessRa≤0.2 mmRa≤0.2 mmRa≤0.5 mm
6.5背面激光標(biāo)記 Back marking距離邊緣1mm ( from top edge)
7.邊緣輪廓 Edge
7.1邊緣輪廓 Edge exclusion3 mm
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8.2包裝 Packaging單片或25片包裝
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