氧化硅片

直接聯(lián)系

江陰晶沐光電新材料有限公司

江蘇

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

參考報(bào)價(jià)：

面議

品牌：

晶沐光電

型號(hào)：

氧化硅片

關(guān)注度：

468

產(chǎn)品介紹

介紹：二氧化硅（SiO?）是一種常見的無機(jī)化合物，主要以石英、玻璃和硅膠等形式存在。它具有高硬度、高熔點(diǎn)（約1713℃）、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和良好的絕緣性能。

應(yīng)用：二氧化硅（SiO?）廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光通信、玻璃和陶瓷等領(lǐng)域。它在電子工業(yè)中作為硅片的氧化層、絕緣介質(zhì)和CMP拋光材料，在光通信中作為光纖的主要材料，并用于制造光學(xué)玻璃和防反射涂層。此外，SiO?還用于耐火材料、催化劑載體、食品添加劑和藥物載體，發(fā)揮其優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和耐熱性。

產(chǎn)品規(guī)格書

二氧化硅襯底（2~12inch）
直徑	50.8mm	76.2mm	100mm	150mm	200mm	300mm
厚度	400μm	400μm	500μm	625 μm	725μm	775μm
表面晶向	<100> ∣ <111> ∣ <110>
摻雜類型	N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)		P-type(B-Doping)		Intrinsic
定位邊長度	16mm	22mm	32mm	47.5mm	Notch	Notch
正面狀態(tài)	Epi-polished,Ra<0.5nm
反面狀態(tài)	SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm
氧化類型	單面氧化 ∣ 雙面氧化
氧化層厚度	50nm	100nm	300nm	500nm	1000nm	2000nm
總厚度偏差TTV	≤8μm	≤10μm	≤10μm	≤20μm	≤30μm	≤30μm
彎曲度BOW	≤10μm	≤12μm	≤15μm	≤25μm	≤40μm	≤45μm
翹曲度WARP	≤12μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm	≤60μm	≤60μm
邊緣去除	≤2 mm				≤3 mm

產(chǎn)品性能表

單晶硅 Si
晶體結(jié)構(gòu)	金剛石立方晶體
禁帶寬度(eV)	1.12eV
熔點(diǎn)（℃）	1414℃
莫氏硬度(mohs)	7
熱導(dǎo)率(W·cm^-1·℃^-1)	1.5W·cm^-1·℃^-1
熱膨脹系數(shù)(℃^-1)	2.5×10^-6
晶格常數(shù)(nm)	a=0.5431
電子遷移率（cm^-2·V^-1·s^-1）	1350
擊穿電場(chǎng)(MV·cm^-1)	0.3
JFM指數(shù)（power）	1
BFM指數(shù)(SW)	1
BHFM指數(shù)(RF)	1
折射率	3.5

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產(chǎn)品規(guī)格書

產(chǎn)品性能表