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立式LPCVD低壓化學氣相淀積設備是半導體集成電路制造的重要工序之一，本設備主要用于：8-12英寸硅片SiO2-LTO TEOS、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、BPSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅薄膜的生長。它是將原材料氣體（或者液態源氣化）用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜。低壓化學氣相淀積是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,而且基片可以豎放而裝片量大，特別適用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的工業化生產專用設備，采用電腦工控機軟件控制方式，是其性能技術指標已經達到國際先進技術水平。