粉體行業在線展覽
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QSH-VCF-1400T
直接聯系
上海全碩電爐有限公司
上海
1-5萬元
全碩
QSH-VCF-1400T
6432
主要用于煅燒真空或惰性氣體保護下的高純度化合物或擴散半導體晶片，也可用于烘燒或燒結陶瓷材料。
本設備是由石英坩堝（或氧化鋁陶瓷坩堝）和不銹鋼法蘭組成的真空坩堝爐。主要用于煅燒真空或惰性氣體保護下的高純度化合物或擴散半導體晶片，也可用于烘燒或燒結陶瓷材料。
二、真空井式坩堝爐參數說明
型號 | QSH-VCF-1200T | QSH-VCF-1400T | QSH-VCF-1700T |
工作溫度 | ＞1200℃ | ＞1400℃ | ＞1700℃ |
加熱元件 | 電阻絲 | 硅碳棒 | 硅鉬棒 |
熱電偶 | K型 | S型 | B型 |
控溫方式 | 51段可編程自動控制，PID調節控溫精度 | ||
升溫速率 | 0-10℃ | 0-20℃ | |
控溫精度 | ±1℃ | ||
真空度 | -0.1MPa | ||
爐膛材料 | 氧化鋁陶瓷纖維板 | ||
爐殼 | 雙層爐殼，風冷結構（爐底安裝兩個散熱風扇），爐殼表面溫度低于60度 | ||
額定功率 | 1KW—8KW | ||
常用爐膛尺寸 | Φ240xH220mm；Φ40xH300mm；Φ60xH300mm；Φ80xH300mm；Φ100xH300mm；Φ120xH300mm | ||
三、溫控程序曲線示意圖（六段為例）：
四、溫控程序對應符號及其意義：
提示符 | 輸入數據 | 意義 |
C 01 | 0 | 起始溫度值 |
t 01 | 60 | 從0~300℃的升值時間為60分鐘 |
C 02 | 300 | 個目標溫度值 |
t 02 | 10 | 300℃保溫時間10分鐘 |
C 03 | 300 | 第二個目標溫度值 |
t 03 | 240 | 從300~1500℃的升值時間為240分鐘 |
C 04 | 1500 | 第三個目標溫度值 |
t 04 | 30 | 1500℃恒溫時間10分鐘 |
C 05 | 1500 | 第四個目標溫度值 |
t 05 | 260 | 從1500~200℃的升值時間為260分鐘 |
C 06 | 200 | 第五個目標溫度值 |
t 06 | －121 | 程序運行結束，自然降溫 |
