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簡介(Description)

B系列半自動快速退火爐，適用于多規格尺寸(9片4英寸，4片6英寸，1片8英寸)硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于，磷化銦、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等各類襯底和外延片)，擁有出色的熱源和結構設計。雙面加熱方式與單面加熱相比，可以大幅減小圖案加載效應，晶片上熱的均勻性將更好。1-5路氣體配置(可定制)，可抽真空腔體。設備國產化率達到95%以上，配件渠道豐富。

定義(Definition):

快速熱處理(RTP)設備是一種單片熱處理設備，可以將晶圓的溫度快速升至工藝所需溫度(200-1300℃)并且能夠快速降溫，升/降溫度速率約20-250℃。RTP設備還具有其他優良的工藝性能，如**的熱預算和更好的表面均勻性，尤其對大尺寸的晶圓片。多用于修復離子注入后的損傷，多腔體規格可以同時運行不同的工藝過程。

設備規格(Specifications)

1、適用于2、4、6、8英寸 Wafer(雙腔體可擺放9片4英寸或4片6英寸或1片8英寸材料進行加熱處理);2、冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃(循環常溫水冷卻，軟件可視化監控管理，防止外壁過熱，內置氨氣管路，吹掃腔

體，保持清潔，極速降溫);

3、MFC控制，1-5路制程氣體。(品牌MFC控制器，內置多路氣氛管路，可定制開通，滿足各類測試工藝需求);4、退火溫度范圍 300℃-1000℃(常規硅基材料溫度適用于850℃，第三代半導體材料**可到1350℃)5、升溫諫率 ≤150℃/秒(升溫速度隨不同的材料及裝置會有差異，標準數據是裸片放置內測量后得出，150攝氏度每秒是常規溫度速率，加熱設備的極限會更高);

6、Windows操作系統:(高性能工業電腦，搭載windows操作系統，larcomse專屬軟件操作，上手簡單，系統功能強大，各類數據可視化程度高，內容豐富，亦可定制軟件模塊);

7、配置真空系統(有定壓功能，滿足常規真空要求，使用分子泵能達到更高的真空度，能定制真空度);8、多只紅外鹵素光源(根據需求可配置數量不等的燈管，以滿足工藝加熱要求)

設備主要工藝應用(Application):

快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氨化(RTN);

離子注入/接觸退火;

·高溫退火;

●高溫擴散;

金屬合金;

熱氧化處理。