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電化學(xué)ECV +摻雜濃度PN結(jié)深測(cè)試+CVP21

直接聯(lián)系

上海瞬渺光電技術(shù)有限公司

德國(guó)

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

關(guān)注度:

2017

產(chǎn)品介紹

德國(guó)WEP公司的ECV(型號(hào)為CVP21)在太陽(yáng)能光伏行業(yè)的應(yīng)用非常普及,市場(chǎng)占有率甚至達(dá)95%以上,是光伏行業(yè)電池技術(shù)研究和發(fā)展的必要工具之一,幾乎知名的光伏企業(yè)都有使用。

WEP公司的ECV設(shè)備:CVP21(見(jiàn)圖)

1. ECV又名擴(kuò)散濃度測(cè)試儀,結(jié)深測(cè)試儀等,即電化學(xué)CV法測(cè)擴(kuò)散后的載流子濃度分布(見(jiàn)圖);

2. 相比其他方法如SRP,SIMS等,ECV具有測(cè)量使用方便,價(jià)格低的優(yōu)點(diǎn);

3. WEP公司的ECV具有獨(dú)特技術(shù)可應(yīng)用于測(cè)試電池片的絨面樣片,這也是其被廣泛使用的原因之一;

4. CVP21所能測(cè)量的深度范圍是nm---10um;

5. 測(cè)量的載流子濃度范圍在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之內(nèi)都無(wú)需校準(zhǔn);

6. 測(cè)量擴(kuò)散樣片時(shí),樣片是保持“Dry in”和“Dry out”,并無(wú)需做特別處理;

7. 其所用到的化學(xué)試劑本地就能買到,價(jià)格低且用量很少買一次可以用好幾年;

8. 從CVP21所測(cè)得的數(shù)據(jù)能帶給研發(fā)或工藝人員三方面的信息:一是表面濃度,二是濃度變化曲線,三是結(jié)深(見(jiàn)圖);

9. 表面濃度對(duì)于選擇和使用適合的漿料很有幫助,如粘合性,接觸電阻等的匹配問(wèn)題;

10. 濃度分布曲線對(duì)掌握和改進(jìn)擴(kuò)散工藝提供依據(jù);

11. 結(jié)深的信息對(duì)電池工藝的總體把握來(lái)說(shuō)是必須的,也是擴(kuò)散工藝時(shí)常需要抽測(cè)的項(xiàng)目之一;

12. 參考:測(cè)試出的幾種擴(kuò)散濃度分布曲線(見(jiàn)圖);

13. 廣泛的客戶群:Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德,天合,晶澳,英利,交大泰陽(yáng),BYD,海潤(rùn),晶科,吉陽(yáng),南玻,格林保爾…

儀器簡(jiǎn)介:電化學(xué)ECV,摻雜濃度檢測(cè)(C-V Profiling)PN結(jié)深測(cè)試

電化學(xué)ECV可以用于太陽(yáng)能電池、LED等產(chǎn)業(yè),是化合物半導(dǎo)體材料研究或開(kāi)發(fā)的主要工具之一。電化學(xué)ECV主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開(kāi)發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。

本設(shè)備適用于在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過(guò)程的性能評(píng)估和過(guò)程控制,可以測(cè)試多種不同的材料,例如:硅, 鍺, III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)讓測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布變得高效、準(zhǔn)確。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制 。

CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn):

*堅(jiān)固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) .光學(xué),電子和化學(xué)部分相對(duì)獨(dú)立.

*精確的測(cè)量電路模塊

*強(qiáng)力的控制軟件,系統(tǒng)操作,使用簡(jiǎn)便

*完善的售后服務(wù)

提供免費(fèi)樣品測(cè)試并提供測(cè)試報(bào)告。

保修期:2年,終身維修。

對(duì)用戶承諾終身免費(fèi)樣品測(cè)試每月1次。

技術(shù)參數(shù):

我們?cè)陔娀瘜W(xué)方分布測(cè)試產(chǎn)品方面有超過(guò)30年的經(jīng)驗(yàn)和世界上***的電路系統(tǒng)。

全自動(dòng),特別適用于新材料,如氮化鎵,碳化硅材料等?!?

有效檢測(cè): 外延材料、擴(kuò)散 、離子注入

適用材料: CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;

III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;

三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;

四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;

氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;

II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;

其他不常見(jiàn)半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測(cè)量)。

 

載流子濃度測(cè)量范圍:

*** 1021/cm³; *小 1011/cm³

深度解析度: **無(wú)上限;*小可至1 nm (或更低)

模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu): 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu),實(shí)時(shí)監(jiān)控腐蝕過(guò)程,適于微小樣品及大尺寸的晶圓,全自動(dòng)化系統(tǒng)。

主要特點(diǎn):

CVP21電化學(xué)ECV是半導(dǎo)體載流子濃度分布**的解決方案:

1, CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

* IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;

* III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;

* 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;

* 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;

* 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;

* II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;

* 其他不常見(jiàn)半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測(cè)量)。

2, CVP21可用于不同形態(tài)的樣品:多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料、基底沒(méi)有限制(基底導(dǎo)電或絕緣均可)、標(biāo)準(zhǔn)樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請(qǐng)預(yù)先咨詢我們)。

3, CVP21擁有很好的分辨率范圍。

* 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3

* 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質(zhì)量決定)

4, CVP21是一套完整的電化學(xué)ECV測(cè)量系統(tǒng)。

* 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機(jī)械、光學(xué)、液體傳動(dòng)幾個(gè)主要部分均經(jīng)特殊設(shè)計(jì))

* 免校準(zhǔn)的系統(tǒng)(完全自校準(zhǔn)的電子系統(tǒng),電纜電容均無(wú)須用戶再次校準(zhǔn))

* 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化,在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)

* 照相機(jī)鏡頭控制(過(guò)程在線由彩色照相機(jī)鏡頭控制;每次測(cè)量后,鏡頭數(shù)據(jù)均可取出。)

* 實(shí)驗(yàn)菜單(測(cè)量菜單預(yù)定義,優(yōu)先權(quán)用戶可以很容易修改或改進(jìn)測(cè)量菜單)

* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學(xué)樣品池自動(dòng)裝載/卸載/再裝載,優(yōu)先權(quán)用戶易于修改,進(jìn)行樣品dry-in/dry-out處理。)

全自動(dòng)電化學(xué)CV分布儀 CVP21光伏太陽(yáng)能領(lǐng)域的**! 眾多科研和半導(dǎo)體領(lǐng)域用戶的的**!

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本設(shè)備適用于評(píng)估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過(guò)程并且以被使用在多種不同的材料上, 例如:Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.

CVP21的凈室和模塊化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得本系統(tǒng)可以高效率,準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布.選用合適的電解液與材料接觸,腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制

CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn)

? 堅(jiān)固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) .光學(xué),電子和化學(xué)部分相對(duì)獨(dú)立.

? 精確的測(cè)量電路模塊

? 強(qiáng)力的控制軟件,系統(tǒng)操作,使用簡(jiǎn)便

? 完善的售后服務(wù)


特別推薦晶硅太陽(yáng)能電池研究單位使用

知名用戶:

(Shin-Etsu SEH or ISFH)In the field of solar cell research, the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE) in Freiburg, Germany, and since then it has been installed at the Institute for Molecules and Materials (IMM) in Nijmegen, The Netherlands, the RWE Space Solar Power GmbH in Heilbronn, Germany, the Hahn-Meitner-Institute (HMI) in Berlin, Germany, and the Institute for Solar Energy Research (ISFH) in Hamelin/Emmerthal, Germany.

在德國(guó)和日本都有很多太陽(yáng)能電池用戶使用,鑒于商業(yè)保密需要不能公開(kāi)。

產(chǎn)品**結(jié)合我們?cè)陔娀瘜W(xué)方分布測(cè)試方面超過(guò)30年的經(jīng)驗(yàn)和世界上***的電路系統(tǒng)?!?/p>

全自動(dòng), 特別適用于新材料, 如氮化鎵, 碳化硅材料,多晶硅等等?!?/strong>

有效檢測(cè):

  • ?外延材料

  • ?擴(kuò)散

  • ?離子注入

適用材料:CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

  • IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…

  • III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…

  • 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…

  • 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

  • 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…

  • II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

  • 其他不常見(jiàn)半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測(cè)量)。

 

載流子濃度測(cè)量范圍:

  • ?** 1021/cm3

    • ?*小 1011/cm3

深度解析度:

  • ?**無(wú)上限

  • ?*小可至1 nm (或更低)

模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu):

  • ?拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu)

  • ?實(shí)時(shí)監(jiān)控腐蝕過(guò)程

  • ?適于微小樣品及大尺寸的晶圓

全自動(dòng)化系統(tǒng):

?

精密的電路,電子系統(tǒng)

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強(qiáng)力的軟件


**優(yōu)質(zhì)服務(wù)

  1. 提供免費(fèi)樣品測(cè)試并提供測(cè)試報(bào)告。

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電化學(xué)CV分布儀(CV測(cè)試儀)

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