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• 高靈敏度中子ICCD和中子sCMOS探測(cè)器

PSEL制冷型中子探測(cè)器系列采用LiF：ZnS：Ag閃爍體熒光屏，由極低噪聲、高靈敏度ICCD或sCMOS芯片讀出。中子成像應(yīng)用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效區(qū)域的高分辨率閃爍體，并結(jié)合具有低噪聲、快速讀出4096×4096分辨率的sCMOS相機(jī)。衍射和小角散射應(yīng)用使用26cm×20cm有效區(qū)域的高效閃爍體，并結(jié)合1306×1040分辨率的超低噪聲ICCD相機(jī)，可實(shí)現(xiàn)單量子探測(cè)功能。通過(guò)將多個(gè)相機(jī)拼接在一起可以實(shí)現(xiàn)更大區(qū)域的探測(cè)。快中子系列不僅可以用于實(shí)驗(yàn)室密封源研究，也可用于研究反應(yīng)堆設(shè)施。

高靈敏度中子ICCD探測(cè)器主要特點(diǎn)：

• 16-bit數(shù)字圖像實(shí)時(shí)采集

• 單中子等效讀出噪聲

• 可達(dá)20000:1的高動(dòng)態(tài)范圍

• 標(biāo)準(zhǔn)相機(jī)與計(jì)算機(jī)接口

• 芯片陣列可多路采集

高靈敏度中子ICCD探測(cè)器應(yīng)用：

• 中子成像/斷層掃描

• 中子衍射

• 小角中子散射

• 蛋白質(zhì)晶體學(xué)

• 中子反射

技術(shù)指標(biāo)：

Li-6熒光屏來(lái)自于scintacor