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?產(chǎn)品簡介：

REAL RTP200型快速退火爐是韓國ULTECH公司的一款8寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制精確，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及知名科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇。

?技術特色：

• 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補償

• 紅外鹵素管燈加熱

• 極其優(yōu)異的加熱溫度精確性與均勻性

• 快速數(shù)字PID溫度控制

• 不銹鋼冷壁真空腔室

• 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

• 結構緊湊，小型桌面系統(tǒng)

• 帶觸摸屏的PC控制

• 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標準值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

• **3路氣體（MFC控制）

• 沒有交叉污染，沒有金屬污染

?真實基底溫度測量技術介紹：

如上圖，由陣列式鹵素燈輻射出熱量經(jīng)過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測量的不是基片真實的溫度，必須進行溫度補償。

REAL RTP200型快速退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫，如上圖，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素燈輻射出熱量經(jīng)過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會進行熱量傳遞，并很快達到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度，從而實現(xiàn)基片溫度的真實測量。

?主要技術參數(shù)：

• 基片尺寸：8英寸

• 基片基座：石英針（可選配SiC涂層石墨基座）

• 溫度范圍：150-1250℃

• 加熱速率：10-150℃/S

• 溫度均勻性：≤±1.5% (@800℃， Silicon wafer)

≤±1.0% (@800℃， Substrate on SiC coated graphite susceptor)

• 溫度控制精度：≤ ±3℃

• 溫度重復性：≤ ±3℃

• 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

• 氣路供應：標準1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路）

• 退火持續(xù)時間：≥35min@1250℃

• 溫度控制：快速數(shù)字PID控制

• 尺寸：1300mm*820mm*1300mm

?基片類型：

• Silicon wafers硅片

• Compound semiconductor wafers化合物半導體基片

• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石基片

• Silicon carbide wafers碳化硅基片

• Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

• Glass substrates玻璃基片

• Metals金屬

• Polymers聚合物

• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

?應用領域：

離子注入/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用，SiAu， SiAl， SiMo合金化，低介電材料，晶體化，致密化，太陽能電池片鍵合等。