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Q150R是一款多功能緊湊型機(jī)械泵磁控離子真空鍍膜系統(tǒng)，對(duì)于SEM樣品制備及其它鍍膜應(yīng)用非常理想。直徑為165mm/6.5”的腔室可容納多種需要鍍導(dǎo)電膜的樣品 – 尤其用于在SEM應(yīng)用中提高成像質(zhì)量。

Q150R S

機(jī)械泵抽真空離子濺射鍍膜儀，適于給樣品鍍制不氧化金屬膜（即貴金屬膜），如金、銀、鉑和鈀。

Q150R E

機(jī)械泵抽真空蒸發(fā)鍍碳儀，使用碳絲或碳繩為SEM樣品鍍膜。

Q150R ES

集Q150R S和Q150R E兩者的功能于一體，節(jié)省空間。這個(gè)雙重用途、結(jié)構(gòu)緊湊、機(jī)械泵抽真空的鍍膜系統(tǒng)標(biāo)配有濺射插入頭和碳絲蒸發(fā)插入頭 – 可提供****的多用途鍍膜。

此外，輝光放電選項(xiàng)也是可用的（僅Q150R S和Q150R ES版本），它可實(shí)現(xiàn)樣品表面改性（如疏水表面改為親水表面）。

快速簡(jiǎn)便：快速、易更換的鍍膜插入頭，能在同一個(gè)緊湊設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)金屬濺射、碳蒸鍍和輝光放電三者之間的快速轉(zhuǎn)換。

采用全自動(dòng)觸摸屏控制，可快速輸入數(shù)據(jù)。與鍍膜處理方法及鍍膜材料相適配的鍍膜參數(shù)方案可通過觸摸按鍵實(shí)現(xiàn)預(yù)設(shè)并儲(chǔ)存。自動(dòng)放氣控制功能確保了濺射期間**的真空狀態(tài)，可提供良好的一致性和可重復(fù)性。

易使用：智能識(shí)別系統(tǒng)可自動(dòng)探測(cè)安裝了何種類型的鍍膜插入頭，以便立即運(yùn)行相應(yīng)的鍍膜方案。可存儲(chǔ)多個(gè)用戶自定義的鍍膜方案 – 這對(duì)于需更改鍍膜參數(shù)實(shí)現(xiàn)不同應(yīng)用的多用戶實(shí)驗(yàn)室非常理想。多種樣品臺(tái)組件適用于各種尺寸和類型的樣品；所有樣品臺(tái)都帶有快速、易更換及落入式設(shè)計(jì)的特點(diǎn)。

功能強(qiáng)大、可重復(fù)鍍膜及高可靠性：可預(yù)編程的鍍膜參數(shù)及方案能確保一致且可重復(fù)的結(jié)果。需要沉積厚膜時(shí)，本系統(tǒng)提供長(zhǎng)達(dá)60分鐘且無需破真空的濺射時(shí)間。設(shè)計(jì)先進(jìn)的碳蒸鍍插入頭操作簡(jiǎn)單，具有對(duì)蒸發(fā)電流參數(shù)的完全控制，確保了SEM應(yīng)用中一致的和可重復(fù)的碳沉積。可選的膜厚監(jiān)控附件用于可重復(fù)的膜厚控制。

適配性強(qiáng)且用途廣：濺射、碳蒸鍍、輝光放電插入頭及多種可選件，使Q150R對(duì)于多用戶實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用非常理想。可濺射一系列不氧化金屬，如金、銀、鉑和鈀。碳絲蒸鍍插入頭處理樣品速度非常快。也可選用碳棒蒸發(fā)。還可應(yīng)用于金屬薄膜研究及電極的應(yīng)用。

濺射靶材或碳蒸發(fā)源的選用：

金 – 常規(guī)SEM應(yīng)用時(shí)使用*普遍的靶材；濺射速度快且導(dǎo)電效果**。

銀 – 高導(dǎo)電性且具有高的二次電子發(fā)射率。濺射上去的銀易于去除，可使樣品成像后還原到其原來狀態(tài)。

鉑 – 在機(jī)械泵抽真空的濺射鍍膜系統(tǒng)中它的顆粒尺寸*小，且具有優(yōu)良的二次電子發(fā)射能力。

鈀 – 用于x射線能譜分析非常理想，因其譜線分布沖突相對(duì)較低。

金/鈀合金（80:20%） - 通過限制沉積期間金顆粒的團(tuán)聚，鈀可提高*終分辨率。

碳絲蒸鍍 – 碳絲蒸鍍過程的閃蒸特性及快速更換碳絲的能力，使其處理樣品速度非常快。

碳棒蒸發(fā) – 用于需要減慢速度但可控性更好的蒸發(fā)過程，可制備更趨向無定形的碳膜。