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RIE，全稱(chēng)是Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕，是一種微電子干法腐蝕工藝。

RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為RIE（Reactive Ion Etching）。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面，經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞，而直接向試樣撞擊。為達(dá)到此目的，必須對(duì)真空度，氣體流量，離子加速電壓等進(jìn)行**調(diào)整，同時(shí)，為得到高密度的等離子體，需用磁控管施加磁場(chǎng)，以提高加工能力。

我司提供多型號(hào)的RIE刻蝕系統(tǒng)，滿足國(guó)內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要。

RIE 反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備參數(shù):

1.鋁材腔體或不銹鋼腔體；

2.不銹鋼盒；

3.可以刻蝕硅化物(~400 A/min)或金屬；

典型硅刻蝕速率 400 A/min；

4.射頻源: **12”陽(yáng)極化射頻平板(RF)；

5.真空度:大約20分鐘內(nèi)達(dá)到1E-6Torr，極限真空5E-7Torr；

6.雙刻蝕容量：RIE和等離子刻蝕；

7.氣動(dòng)升降蓋；

8.手動(dòng)/全自動(dòng)裝卸樣品；

9.預(yù)抽真空室；

10.電腦控制

11.選配ICP源和平臺(tái)的低溫冷卻實(shí)現(xiàn)深硅刻蝕。

反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)可選配：

1. **700W的高密度等離子源進(jìn)行各向同性蝕刻(isotropic etching)；

2. ICP等離子源，2KW射頻電源及調(diào)諧器；

3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling)；

4. 終點(diǎn)探測(cè)(End point detection) ；

5. 蘭繆爾探針；

6. 靜電卡盤(pán)(Electrostatic chuck)；

7. 附加MFC’s；

8. 1KW射頻電流源及調(diào)諧器；

9. 低頻電流源及調(diào)諧器；

深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)(Deep Reactive Ion Etching System)

RE系列反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有淋浴頭式樣的氣體分配系統(tǒng)及水冷射頻壓盤(pán)，柜體為不銹鋼材質(zhì)。反應(yīng)腔體為13英寸鋁制、從頂端打開(kāi)方便晶片裝載取出，**可進(jìn)行8英寸直徑樣品實(shí)驗(yàn)，帶有兩個(gè)艙門(mén)：一個(gè)艙門(mén)帶有2英寸視窗，另一個(gè)艙門(mén)用于終點(diǎn)探測(cè)及其他診斷。腔體可達(dá)到10^-6 Torr壓力或更高，自直流偏置連續(xù)監(jiān)控、**可達(dá)到500伏偏電壓(各向異性蝕刻)。該反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)為完全由計(jì)算機(jī)控制的全自動(dòng)設(shè)備。

DRIE系列深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤(pán)，設(shè)備使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的渦輪泵，在10^-3Torr壓力范圍運(yùn)行。