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AT-400原子層沉積

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German First-Nano System 德國(guó)韋氏納米

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原子層沉積（Atomic layer deposition， ALD）是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器，化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法，是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍?cè)谝r底表面的方法。因此，它是一種真正的“納米”技術(shù)，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性，因此可以確保對(duì)大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

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