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根據SEMI標準PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導性、電阻率和p/n檢查。

晶圓切割，爐內監控，材料優化等。

日常壽命測量，質量控制和檢驗

**產量：>240塊/天或>720片/天

測量速度：對于156x156x400mm標準晶錠，<4分鐘

良品率提升：1mm切割標準為156x156x400mm標準晶錠

質量控制：用于過程和材料的質量監控，如單晶硅或多晶硅

沾污檢測：起源于坩堝和生產設備的金屬(Fe)

可靠性：模塊化和堅固耐用的工業儀器，更高可靠性，運行時間> 99%

可重復性:> 99.5%電阻率：可做面掃描，不需經常校準

精密材料研發

鐵濃度測定

陷阱濃度測定

硼氧測定依賴于注入的測量等

特性

無接觸和無破壞的半導體檢測

特殊“underneath the surface”壽命測量技術

對不可見缺陷的可視化測試具有很高靈敏度

自動設置硅錠切割標準

空間分辨p/n電導型變換檢測