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技術特點▼

l 能夠測量小至1mm的晶體到或更大的樣品

l 各種樣品架及輸送夾具，用于線鋸、拋光等

l 側晶方向標記選項

l 無水冷卻

l 精度可達0.01°(視晶體質量而定)

l 確定單晶的完全晶格取向

l 使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測量

l 氣冷式X射線管，無需水冷

l 適合于研究和生產質量控制

l 手動操作(沒有自動化選項)

晶體的方向是由反射位置決定的

可測量材料的例子▼

? 立方/任意未知方向：Si， Ge， GaAs， GaP， InP

? 立方/特殊取向：Ag， Au， Ni， Pt， GaSb， InAs， InSb， AlSb， ZnTe， CdTe， SiC3C， PbS， PbTe， SnTe， MgO， LiF， MgAl2O4， SrTiO3， LaTiO3

? 正方：MgF2， TiO2， SrLaAlO4

? 六方/三角：SiC 2H， 4H， 6H， 15R， GaN， ZnO， LiNbO3， SiO2(石英)，Al2O3(藍寶石)，GaPO4， La3Ga5SiO14

? 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3

? 可根據客戶的要求進一步選料

適合多種材料

SDCOM的應用▼

平面方向的標記和測量

在晶圓片的注入和光刻過程中，需要平面或凹槽作為定位標記。切割過程中，晶片必須正確地對準晶圓片上易于切割的晶格面。因此，檢查平面或缺口的位置至關重要。

為了確定平面或缺口的位置，就需要測量平面內的部件。由于Omega掃描法可以在一次測量中確定完整的晶體方位，基于此，便可以直接識別在平面方向或檢查方向的單位或缺口。

DDCOM通過旋轉轉盤，可以將任何平面方向轉換成用戶指定的特定位置。在必須定義平面方向的情況下，這可以大大簡化將標記應用到特定平面方向的過程。