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離子鍍膜設(shè)備
面議
杰萊特
離子鍍膜設(shè)備
906
型號(hào):IBSV-1030 特點(diǎn):a)基板垂直放置,水平監(jiān)控;b)轉(zhuǎn)靶左右可調(diào),保證靶面中心和離子源**距離;c)基板:12吋×1 ;d)靶材:兩靶或三靶可更換;e)多光路監(jiān)控。f)工件夾具:12吋工藝參數(shù):1)真空系統(tǒng)a)極限真空度:4.0×10-5Pa b)抽至10Pa所用時(shí)間 10 Pa:≦ 10 分鐘c)漏率:3.0×10-5Pa m3/s 2)控制精度a)靶材旋轉(zhuǎn):0.005°b)工件旋轉(zhuǎn): <1000RPMc)編碼器Encode: 12000lines;480000Counts/revd)膜厚修正板:0.005°e)擋板: position switch3)光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)OMSa) 波長范圍:380nm~1650nmb) 光源穩(wěn)定性 :白光< 0.1%,激光< 0.02%c) 波長分辨率: 白光0.2nm,激光0.1nmd) 波長準(zhǔn)確度: 白光0.2nm ,激光0.1nm
濺射鍍膜設(shè)備
垂直離子濺射鍍膜機(jī)1
水平離子鍍膜機(jī)
水平離子濺射鍍膜機(jī)
垂直離子濺射鍍膜機(jī)
離子濺射鍍膜設(shè)備
電子槍蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
水平離子濺射鍍膜設(shè)備
垂直離子濺射鍍膜設(shè)備
垂直鍍膜機(jī)
垂直離子鍍膜機(jī)
離子鍍膜設(shè)備
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037