粉體行業在線展覽
Si-G
1萬元以下
Si-G
2875
CVD工藝制備的石墨烯薄膜,單層率高,尺寸大
半導體行業,氮化鎵的生長
微系統所,中興
硅基底CVD石墨烯膜
聯系電話:13685******,劉先生
硅片厚度:700微米
硅片表面氧化硅厚度:300nm
石墨烯層數:1層,2層,多層(可選)
石墨烯方阻:300-500(單層石墨烯)
石墨烯單層覆蓋率:>95%
樣品照片:
光學顯微鏡照片:
Raman光譜
參數價格:
量大可打折
存儲條件:
建議產品在常溫下保存在干燥,低氧(無氧)的容器中,建議一個月內使用完.