激光器的LIV特性測試

1 實驗目的

l 通過實驗熟悉半導體激光器的光學特性。

2 實驗內容

l 測試激光器LIV曲線；

l 測試激光器暗電流；

3 實驗原理

半導體激光器是以半導體材料作為工作介質的。這種激光器體積小、質量輕、壽命長、結構簡單而堅固。常用材料有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式；

半導體激光器是以半導體材料作為工作介質的。這種激光器體積小、質量輕、壽命長、結構簡單而堅固。常用材料有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式；

4 平臺搭建

LIV曲線測試

本次實驗采用1310nm FP SM單模激光器為測量載體，按照下圖所示的連接方式將激光二極管與源表連接，注意搭建電路時一定要將兩臺源表用trig信號線連接，保證我們能給兩臺源表同步發送信號；

設置完參數后點擊運行，切換到圖和表界面可以看到下圖所示的曲線：

圖中顯示了兩條曲線，藍色為LD驅動電流與LD端電壓關系曲線；紅色為LD驅動電流與前光功率的關系曲線。從圖中可以看到當LD驅動電流大概為3mA時，前光功率與背光電流開始快速增長，說明測試所用的激光二極管的閾值電流為3mA。

暗電流測試

激光器暗電流一般在100nA以下，通常測試條件為VT=5V

，即反向施加5V電壓。按下圖所示的搭建電路，

對于恒壓測試，可以直接使用源表的恒壓模式測試。在源表的觸控屏上直接點擊掃描，然后選擇電壓源，設置源值為5V，限值為100nA；另外由于電流較小，將NPLC設置為10確保測試結果的準確性。

5 注意事項

1) 電源不能短路；

2) 調節電壓時，注意不能超過本文檔中所述電壓，否則，有可能燒壞器件；

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