粉體行業在線展覽
粉體行業在線展覽
氮化硅基板
直接聯系
株洲艾森達新材料科技有限公司
湖南
面議
株洲艾森達
氮化硅基板
1478
產品優勢
? 氮化硅基板與氮化鋁和氧化鋁基板相比，具有兩倍以上的抗彎強度
? 與氧化鋁和ZTA基板相比具有三倍以上的熱導率
? 具有高的絕緣性和與Si相匹配的熱膨脹系數
? 優異的抗熱震性能和高強度
參數指標
ASD陶瓷基板材料特性 | ||||||||||
材料牌號 | ASD-996 | ASD-ZTA | ASD-170 | ASD-200 | ASD-230 | ASD-HS | ASD-Si3N4 | |||
Al2O3含量 | wt | % | 99.6% | Al2O3/ZrO2 | AlN | AlN | AlN | AlN | Si3N4 | |
外觀 | - | - | 白色致密 | 白色致密 | 淺灰色致密 | 米黃色致密 | 米黃色致密 | 深灰色致密 | 深灰色致密 | |
表面粗糙度 | Ra | μm | <0.6 | <0.6 | <0.6 | <0.6 | <0.6 | <0.6 | <0.6 | |
表觀密度 | 排水法 | g/cm3 | ≥3.85 | ≥3.95 | ≥3.3 | ≥3.3 | ≥3.3 | ≥3.3 | ≥3.2 | |
光反射率 | 400nm/1mm | % | 83 | 97 | - | - | - | - | - | |
機械性能 | 抗彎強度 | 三點抗彎 | MPa | >500 | >650 | >400 | >350 | >300 | >550 | >700 |
斷裂韌性 | 壓痕法 | MPa﹡m1/2 | 3 | 4.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 6.5-7 | |
維氏硬度 | 裁荷4.9 N | GPa | 16 | 15 | 11 | 11 | 11 | 11 | 15.0 | |
楊氏模量 | 拉伸法 | GPa | 300 | 310 | 320 | 320 | 320 | 320 | 310.0 | |
熱性能 | 熱照脹系數 | 25 ~ 800℃ | ×10-6/ k | 7.9 | 8.0 | 4.6-5.2 | 4.6-5.2 | 4.6-5.2 | 4.6-5.2 | 2.5-3.1 |
熱導率 | 25℃ | W/(m?k) | >29 | >27 | >170 | >200 | >230 | >150 | >80 | |
抗熱震性 | 800℃ | ≥10次 | 無裂紋 | 無裂紋 | 無裂紋 | - | - | 無裂紋 | 無裂紋 | |
比熱 | 25℃ | J/（kg?k） | 780 | 720 | 720 | 720 | 720 | 720 | 680 | |
電性能 | 介電常數 | 1 MHz, 25℃ | - | 9.5-10.5 | 9.5-10.5 | 8-10 | 8-10 | 8-10 | 8-10 | 7.8 |
介電損耗 | 1 MHz. 25℃ | ×10-4 | ≤2 | ≤3 | ≤3 | ≤3 | ≤3 | ≤3 | ≤4 | |
體枳電阻 | 25℃ | Ω? cm | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | |
擊穿電壓 | DC | KV/mm | ＞15 | ＞15 | ≥20 | ≥20 | ≥20 | ≥20 | ＞15 | |
ASD陶瓷基板規格尺寸 | |||||||
厚度規格（mm） | 尺寸（mm） | ||||||
50.8*50.8 | 76.2*76.2 | 101.6*101.6 | 114.3*114.3 | 120*120 | 140*190 | 150*150 | |
0.1 | 3 | —— | —— | —— | —— | —— | —— |
0.15 | 3 | —— | —— | —— | —— | —— | —— |
0.2 | 3 | 3 | 3 | —— | —— | —— | —— |
0.245 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | —— | |
0.32 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | —— |
0.337 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | —— | —— |
0.35 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | —— | —— |
0.381 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | —— | —— |
0.5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 1/2/3/6/7 | —— |
0.635 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 |
0.762 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3/ | 1/2/3 |
1 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 |
1.5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 |
2 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3/ | 1/2/3 |
3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3/ | 1/2/3 |
4 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3/ | 1/2/3 |
備注 | 1、ASD-996,2、ASD-ZTA,3、ASD-170,4、ASD-200,5、ASD-230,6、ASD-HS，7、ASD-Si3O4 | ||||||
Si3N4陶瓷基板具備高強度、高導熱、耐高溫、高耐磨性、抗氧化、熱膨脹系數低和抗熱震等性能，同時具有較好的氣密性，可隔離水汽、氧氣和灰塵等特點，成為大功率半導體器件基板的**材料，被廣泛應用到功率集成電路中。
