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低缺陷密度控制技術  

技術團隊依靠多年的外延工藝經驗和現階段的技術開發，不斷優化和迭代自有碳化硅外延技術，同時針對不同廠家的襯底進行開發，在不同廠家的襯底進行的外延生長均能實現低缺陷密度，為器件的可靠性提供有力的保障。

高均勻性外延技術    

技術團隊經過一系列的工藝優化和設備改造升級，碳化硅外延片的外延層厚度不均勻性可＜0.5%，外延層載流子濃度不均勻性可＜1.5%。

雙激光精準缺陷掃描

已經采用雙激光掃描缺陷檢測設備，除了精準檢測晶體表面的形貌缺陷外，對于材料內部的晶格缺陷也能精確掃描和檢測。

預防器件失效技術

除了常規的量測和控制方法外，技術團隊增加特殊管控方法，確保碳化硅外延片不會因外延材料質量異常導致器件失效。