粉體行業在線展覽
氮化鋁(AIN)
面議
中臨半導體
氮化鋁(AIN)
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氮化鋁是由鋁原子為中心和臨近的4個氮原子組成的結構穩定的六方纖鋅礦共價化合物,其晶體結構類似于金剛石,禁帶寬度為6.2eV,外觀為白色或灰白色粉末。本征熱導率極高,超過金屬鋁,接近銅,**為320W/mK,是目前熱導率**綜合性能*為優異的功能陶瓷材料之一。氮化鋁憑借其高熱導率、與硅匹配的熱膨脹系數、高電阻率、高擊穿強
度和高機械性能,成為半導體及相關領域的關鍵材料,具有廣闊的應用前景。
優異性能:
1、超高熱導率:熱導率是氧化鋁陶瓷的5-10倍,與氧化鈹(BeO)相當,可達200W/mK以上,適合高效散熱。
2、與硅匹配的熱膨脹系數:熱膨脹系數為4.3×10/K,與半導體硅材料(3.5-4.0×10/K)高度匹配,減少熱應力,提升器件可靠性。
3、優異的機械性能:抗彎強度高于氧化鈹陶瓷,接近氧化鋁,適合高機械強度要求的應用。
4、優良的電性能:具有極高的絕緣電阻和低介質損耗,適合高頻、高功率電子器件。
5、良好的電路材料相容性:支持多層布線,實現封裝的高密度和小型化,適合現代電子封裝需求。
6、無毒環保:符合歐盟ROHS標準,可替代有毒材料,如氧化鈹。