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1、簡述：α相納米氮化硅因其高硬度，高熱導率，高絕緣性，高溫抗氧化和強抗熱沖擊性等優異的熱力學性能和機械性能，是第三代半導體陶瓷基板的較優原料。尤其在大功率、高電壓、高電流的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）功率模塊領域，氮化硅的綜合性能較佳。本基地基于納米硅基礎，開發出一種新型α相納米氮化硅材料的規模化生產技術，該工藝氮化溫度低，α相成分高，制備成本大大降低，打破了日本對中國高端氮化硅原料的封鎖。

2、應用：5G時代的第三代半導體陶瓷基板是α相納米氮化硅的**驅動力。5G時代各元器件的發熱功率大幅度增加，必須使用陶瓷基板散熱。氮化硅具有高導熱系數、高電流載荷特性，是綜合下來較有前途的材料。然而氮化硅陶瓷基板的原料——α相納米氮化硅目前極度短缺，僅日本宇部公司生產，且限制出口。國內廠家的氮化硅粉體多數為β相微米級氮化硅，可以滿足低端使用。α相納米氮化硅的競爭對手包括：中材高新、山東國瓷、科盛陶瓷、中興實強、宇部興產、京瓷、北洋精工。直接下游包括各大陶瓷基板廠，如日本丸和，九豪精密，美國Rogers，國內有福建華清，海古德，艾森達，山東的工陶院，泰晟等。間接下游包括各大陶瓷基板加工的線路板企業，如深圳金瑞欣，斯利通，山東銀河高科等。

3、產品性能參數：本工藝基于一種新型**工藝，可大規模（十噸級以上）低成本生產高性能納米氮化硅材料，工藝簡單。

本產品與市場產品性能對比