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硅基負(fù)極材料CVD包覆設(shè)備

    作為下一代負(fù)極材料的主流趨勢，硅基負(fù)極材料（包括SiOx、nano-Si、SA）通常需要進(jìn)行一些表面改性包覆來提升材料性能，通過化學(xué)氣相沉積CVD包碳是包覆的主流手段。

    公司通過技術(shù)嫁接，針對硅基負(fù)極材料市場開發(fā)出新型的流化床氣相沉積包覆裝置，主要用于硅基負(fù)極材料的碳包覆。與現(xiàn)有的其他包覆設(shè)備相比，流化床CVD包覆設(shè)備可以帶來更好的包覆均勻性、品質(zhì)穩(wěn)定性等。

    該設(shè)備不僅可用于硅基負(fù)極材料的碳包覆，也可用于石墨等碳基負(fù)極材料的包覆、燒蝕等材料改性，也可針對客戶需求匹配不同類型的沉積工藝。