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碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，可用于制作新一代高效節(jié)能的電力電子器件，并廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域，如空調(diào)、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、高效電動機、混合和純電動汽車、高速列車等。

碳化硅晶體生長爐是生產(chǎn)碳化硅晶體不可缺少的關(guān)鍵設(shè)備。該設(shè)備采用感應(yīng)加熱方式，在工藝氣體環(huán)境下將石墨坩堝中的碳化硅粉末升華，沉積到碳化硅籽晶上，即利用物理氣相傳輸法（PVT 法）生長6英寸碳化硅晶體。