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Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher

氫氟酸氣相蝕刻系統(tǒng)

MEMS領(lǐng)域設(shè)備：準(zhǔn)干法氫氟酸氣相蝕刻系統(tǒng)，4“、6”、8“范圍適用。

氫氟酸蝕刻二氧化硅是微電子行業(yè)中的一道傳統(tǒng)工藝，多以濕法為主，但是濕法工藝容易造成硅表面自然氧化層無法完全去除，進(jìn)而影響金屬和硅的歐姆接觸。

本氫氟酸氣相蝕刻是一套準(zhǔn)干法工藝設(shè)備，通過對基底的加熱，晶圓表面的水分可以很好的控制。由

于晶圓完全不與液體接觸，可以進(jìn)行無粘著MEMS釋放。

特點(diǎn)：

安全酸處理

可重復(fù)利用HF

晶圓夾緊機(jī)構(gòu)

適于各種尺寸的晶圓

無需安裝（裝置在濕法酸工作臺中使用）

上部向下晶圓蝕刻

背面保護(hù)

低運(yùn)行成本

應(yīng)用：

無粘著MEMS釋放

結(jié)構(gòu)減薄

SOI基底上的結(jié)構(gòu)免切割釋放

蝕刻速率從0到10 μm/hour可調(diào)（無粘著）

單面二氧化硅蝕刻（蝕刻過程背面保護(hù)）

4英寸產(chǎn)品型號：VPE100

6英寸產(chǎn)品型號：VPE150

8英寸產(chǎn)品型號：VPE200

蝕刻液：50%HF有機(jī)溶液

蝕刻速率：2-30 μm/hour

加熱溫度：35-60℃

反應(yīng)室溫度控制

在反應(yīng)室內(nèi)，二氧化硅的腐蝕速率隨液體HF的溫度略有變化。氫氟酸的溫度取決于潔凈室的環(huán)境溫度。此外，在長時間的蝕刻過程中，HF會被加熱，導(dǎo)致晶圓之間的蝕刻速率增加，直到系統(tǒng)穩(wěn)定下來。為了穩(wěn)定腐蝕速率，我們在容器中開發(fā)了一個溫度可控的HF反應(yīng)室。高頻的溫度可以通過附加的控制器來調(diào)節(jié)。