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4英寸氧化鎵襯底
直接聯系
杭州鎵仁半導體有限公司
浙江
面議
杭州鎵仁
385
鎵仁半導體可提供高質量4英寸(100)晶面氧化鎵襯底，摻雜類型豐富。
技術參數
單面拋光/雙面拋光
表面
Ra<0.5nm
晶面偏差<士19
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