粉體行業(yè)在線展覽
粉體行業(yè)在線展覽
氧化鎵專用晶體生長設(shè)備
直接聯(lián)系
杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司
浙江
面議
杭州鎵仁
氧化鎵專用晶體生長設(shè)備
420
產(chǎn)品特性
產(chǎn)品概述
鎵仁半導(dǎo)體可提供高質(zhì)量氧化鎵專用長晶設(shè)備
技術(shù)參數(shù)
晶體生長爐設(shè)備指標(biāo)
**工作溫度：1820℃；
高溫工作氣氛：大氣環(huán)境（O2濃度 ≈ 21%）；
連續(xù)工作時長：≥100h ，確保完成一爐晶體生長；
晶體生長段溫度梯度：≈10 ℃/cm；
晶體生長速度：0.2 ~ 4 mm/h。
高溫工藝段控溫精度：≤ ±0.2 ℃
全溫度段控溫精度：≤ ±0.3 ℃
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037
