雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng) QBT-T

原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。 

產(chǎn)品描述

廈門(mén)韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)（QBT-T），設(shè)備采用雙腔體設(shè)計(jì)，腔體之間可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制，雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的獨(dú)特設(shè)計(jì)，使設(shè)備可以在平片上實(shí)現(xiàn)等離子體ALD的生長(zhǎng)工藝以及粉末ALD包覆工藝，設(shè)備配有獨(dú)立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng)，保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有**粉末樣品桶、晶圓載盤(pán)、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級(jí)安全控制，以及現(xiàn)場(chǎng)RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設(shè)計(jì)選項(xiàng)。是先進(jìn)能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導(dǎo)體領(lǐng)域研究與應(yīng)用的**研發(fā)工具之一。

主要技術(shù)參數(shù)