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四探針薄膜厚度測(cè)試儀
面議
成 越
四探針薄膜厚度測(cè)試儀
197
簡(jiǎn)單介紹:
四探針測(cè)試儀用于半導(dǎo)體、薄膜、導(dǎo)電涂層等材料的電學(xué)性能測(cè)試。四探針薄膜厚度測(cè)試儀核心作用是消除接觸電阻和引線電阻的影響,從而獲得更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果
詳情介紹:
四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四線法測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量裝置,配上專用的四探針測(cè)試架,就可以測(cè)量片狀,塊狀或柱狀半導(dǎo)體材料的徑向和軸向電阻率,測(cè)量擴(kuò)散層的薄層電阻(亦稱方塊電阻)。四探針測(cè)試架有電動(dòng),手動(dòng),手持三種可以選配,另外還配有四個(gè)夾子的四線輸入插頭用來(lái)作為測(cè)量線狀或片狀電阻的 中,低阻阻值.
四探針測(cè)試儀(Four-Point Probe)是一種用于測(cè)量材料電阻率(resistivity)和薄層電阻(sheet resistance)的高精度儀器,尤其適用于半導(dǎo)體、薄膜、導(dǎo)電涂層等材料的電學(xué)性能測(cè)試。其核心作用是消除接觸電阻和引線電阻的影響,從而獲得更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。
典型應(yīng)用場(chǎng)景:
半導(dǎo)體行業(yè):硅片、GaAs等晶圓的電阻率測(cè)試。摻雜工藝后的電學(xué)性能驗(yàn)證。
薄膜材料:ITO(透明導(dǎo)電膜)、太陽(yáng)能電池薄膜、金屬鍍層的薄層電阻測(cè)量。
科研領(lǐng)域:納米材料(石墨烯、碳納米管)、有機(jī)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性分析。
工業(yè)生產(chǎn):液晶顯示(LCD)、柔性電路(FPC)的導(dǎo)電涂層質(zhì)量控制。
四探針測(cè)試儀技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 四探針測(cè)試儀 | |
產(chǎn)品型號(hào) | CY- SZT | |
測(cè)量范圍 | 電阻率 | 10??-105?-cm |
方塊電阻 | 10??- 105?/□ | |
電阻 | 10-?- 105 ? | |
可測(cè)半導(dǎo)體材尺寸 | 直 徑 | Ф15-100mm |
長(zhǎng)(或高)度 | ≤400mm | |
測(cè)量方位 | 軸向,徑向均可 | |
數(shù)字電壓表 | 量程 | 20mV,200mV,2V |
誤差 | ±0.5%讀數(shù)±2字 | |
輸入阻抗 | >10?? | |
分辨率 | 10μV | |
點(diǎn)陣液晶顯示 | 過(guò)載顯示 | |
恒流源 | 電流輸出 | 共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA五擋可通過(guò)按鍵選擇,各擋均為定值不可調(diào)節(jié),電阻率探頭修正系和擴(kuò)散層方塊電阻修正系數(shù)均由機(jī)內(nèi)CPU運(yùn)算后,直接顯示修正后的結(jié)果 |
誤 差 | ±0.5%±2字 | |
四探針測(cè)試頭 | 探 針 間 距 | 1mm |
探針機(jī)械游移率 | ±1.0% | |
探 針 材 料 | 碳化鎢(或高速鋼),Ф0.5mm | |
電 源 | 交流 | 220V±10% |
功耗 | <35W |
矩形腔室磁控濺射鍍膜儀
桌面型鋁合金腔體單靶磁控濺射鍍膜儀
桌面型雙靶磁控濺射鍍膜儀不銹鋼腔體
旋轉(zhuǎn)粉末磁控濺射鍍膜儀
四探針薄膜厚度測(cè)試儀
多功能粉體包覆磁控鍍膜儀
小型行星球磨機(jī)
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1400℃箱式氣氛爐
多溫區(qū)管式爐
電腦組合體系VG42
UNI800C多物料配料控制儀
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PicoFemto掃描電鏡原位液體-電化學(xué)測(cè)量系統(tǒng)
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在體皮膚拉曼分析儀
佐竹攪拌扭矩測(cè)試儀
片式電容四參數(shù)測(cè)試機(jī)
0~10%糖度
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