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L9570-01 隱形切割裝置

在隱形切割技術中，能穿透材料的特定波長的激光束被聚焦到材料內(nèi)部點上。這種方式在焦點附近的定位范圍內(nèi)形成機械損傷層（應力層），實現(xiàn)了材料的“內(nèi)部”切割。隱形切割技術的工作原理和傳統(tǒng)的“外部”的刀片切割技術有著本質(zhì)上的不同。

究竟什么是隱形切割？

隱形切割是一種創(chuàng)新型、高質(zhì)量的切割技術，它利用激光通過內(nèi)部處理來把半導體晶片切成小片。

在半導體制造中，使用大晶片是一個趨勢。但是晶片本身就非常薄，切割工藝涉及到一系列問題，比如一片晶片能夠切割出多少芯片、或者怎樣在不導致缺陷的情況下切割出復雜集成電路芯片等。由于*終的芯片產(chǎn)品在具有更多高級功能的同時變得越來越小，所以切割過程必須工作在越來越嚴格的條件下。隱形切割就是一種滿足這種嚴苛條件的技術。隱形切割只是半導體制造工藝的一部分，但是這一部分的改變卻可以給整個工藝造成巨大影響。隨著*終半導體產(chǎn)品必須使用薄晶片，時代需要呼喚著更小、更高性能的半導體器件。說市場需求是推動隱形切割在半導體制造領域獲得目前地位的推動力量，一點也不夸張。

隱形切割的特性

與普通切割技術相比，隱形切割具有如下獨特之處：

• 高速切割

• 高質(zhì)量（無碎片、無灰塵）

• 低切口損失（提高了芯片收益率）

• 完全干性的過程

• 低運行費用

• 圖片顯示了使用100um厚的硅晶片時隱形切割和刀片切割的實際效果。刀片切割中，切口損失和刀片寬度相當，還產(chǎn)生了無數(shù)碎屑。然而隱形切割幾乎沒有切口損失和碎屑，顯示其是一種干凈、高質(zhì)量的切割。