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高精密多腔磁控濺射光學(xué)鍍膜機(jī)
面議
匯成真空
高精密多腔磁控濺射光學(xué)鍍膜機(jī)
205
具備RF-ICP/CCP輔助磁控濺射后氧化模式,具有高沉積速率且光學(xué)性能匹配的特點(diǎn)。適用于車載蓋板玻璃和3C產(chǎn)品前蓋玻璃沉積AR膜,其中AR膜可為普通SiO2+Nb2O5膜系,也可為硬質(zhì)SiO2+Si3N4膜系。同時也適用于3C產(chǎn)品后蓋顏色膜(含漸變色膜)、NCVM膜的加工。
旋轉(zhuǎn)陰極裝置與行內(nèi)普通平面靶裝置相比靶材使用周期與利用效率顯著提高;可客制化的基板工件架結(jié)構(gòu)定制,給客戶產(chǎn)品擺放達(dá)到**的利用空間;全自動一體的提拉升降的轉(zhuǎn)架裝置,大幅度減少機(jī)器開關(guān)門時間,大大提高了生產(chǎn)效率與工藝穩(wěn)定性;匯成**離子源具有工作范圍廣能量均衡,高離化率,超穩(wěn)定工作效率,低耗能等特點(diǎn)。
可利用時間精準(zhǔn)控制薄膜厚度,達(dá)到設(shè)計(jì)工藝要求,節(jié)省晶控,光控環(huán)節(jié),為客戶省去大量的膜厚儀耗材;可生產(chǎn)高折射率氮化薄膜,提高薄膜硬度性能;低溫成膜,可應(yīng)對各種用途;自動調(diào)節(jié)氣體流量**裝置,保持穩(wěn)定的靶電壓,保證成膜品質(zhì);可選“校正板外部調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)”。
優(yōu)勢:
?出色的均勻性
?可實(shí)現(xiàn)不同的材料或提高產(chǎn)量
?集成式等離子體源,可提高涂層質(zhì)量并進(jìn)行基板預(yù)清潔
?快速更換不同尺寸基板的工具
?高目標(biāo)利用率,不影響涂層規(guī)格
?簡單的目標(biāo)交換和易于訪問的系統(tǒng)維護(hù)
規(guī)格 | |
型號 | HCSO-1650T |
鍍膜區(qū)域 | Φ1650x H850mm |
結(jié)構(gòu) | 多腔室 |
性能 | |
轉(zhuǎn)速 | 10~100RPM(可變) |
進(jìn)出料室抽速 | 大氣壓至10Pa≤5min |
工藝室抽速 | 3.0×10-3Pa≤15min |
極限真空度 | 8.0×10-5Pa (成膜室) |
濺射靶材 | Nb,Si,Cr,Al,Ti,In,Nb2O5,ITO,C ... |
主要配置 | |
夾具系統(tǒng) | 中心旋轉(zhuǎn)公轉(zhuǎn)夾具桶 / 掛板機(jī)械結(jié)構(gòu)傳動 |
掛板 | (掛板寬度200~300 ) × H850mm |
掛板尺寸可客制化調(diào)整 | |
排氣系統(tǒng) | 低真空泵組 + 高真空泵組 + Polycold |
真空控制系統(tǒng) | 真空控制器、潘寧及皮拉尼真空計(jì) |
鍍膜系統(tǒng) | DC/MF磁控濺射源+ ICP等離子體源 + 在線AF/AS蒸發(fā)源 |
充氣系統(tǒng) | MFC或APC自動壓強(qiáng)控制儀 |
控制系統(tǒng) | PC+PLC |
應(yīng)用 | |
光學(xué)薄膜應(yīng)用 | UV/IR截止濾光片、帶通濾光片、RGB濾光片、激光雷達(dá)、AR、硬質(zhì)AR膜、硬質(zhì)膜、HR膜、AS/AF等,兼容2D/3D基材 |
適用波長 | 300nm~1560nm |
注:可客制化(數(shù)據(jù)僅供參考) |
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
BTF-1200C-RTP-CVD
自動劃片機(jī)
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037