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氮化鎵(GaN)MOCVD系統(tǒng)

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上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司

上海

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

品牌:

上海翱晶

型號(hào):

氮化鎵(GaN)MOCVD系統(tǒng)

關(guān)注度:

864

產(chǎn)品介紹

GaN 6寸/8寸外延爐


EPIREVO G8是日本株式會(huì)社東芝的子公司紐富萊(NuFlare)的主要產(chǎn)品之一。

EPIREVO G8通過在在200㎜Si襯底上高質(zhì)量的高速成膜,

從而降低功率器件和RF器件成本的MOCVD裝置,為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出貢獻(xiàn)。

高生產(chǎn)性

GaN膜能夠達(dá)到9μm/hour以上的高速生長(zhǎng)

能夠達(dá)到200℃/minute以上的高速升溫


高品質(zhì)

200mm晶片面內(nèi)2度以內(nèi)的**溫度分布


低成本

TMG可以達(dá)到20%以上的高利用率

In-Situ清潔功能帶來(lái)的高生產(chǎn)效率


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氮化鎵(GaN)MOCVD系統(tǒng) - 864
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