粉體行業在線展覽
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12 英寸硅單晶生長爐
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浙江芯暉裝備技術有限公司
浙江
面議
芯暉裝備
12 英寸硅單晶生長爐
203
項目 | 參數 | 單位 | XINHUI |
晶棒長度 | · 2100 | mm | 2100 |
晶棒直徑 | · 308 | mm | ≥ 308 |
碳含量 | · < 0.30 | ppma | ＜ 0.10 |
晶體 | · COP ≥ 26nm (no pattern) | % | >85 |
體金屬 | · Bulk Metal Cu | atom/cm3 | ≤ 1E11 |
· Bulk Metal Ni | atom/cm3 | ≤ 1E10 | |
· Bulk Metal Fe | atom/cm3 | Ave ≤ 2E9；Max ≤ 1E10 | |
提拉軸與坩堝軸對中偏差 | · 多次開合操作后 | mm | ≤ ± 1 |
· 承載在0-400kg 范圍內變化 | mm | ≤ ± 1 | |
液面位置跟蹤控制精度 | - | mm | ±0.2 |
晶體直徑控制精度 | - | mm | ±2.0 |
投料量（含二次加料） | - | KG | ＞ 400 |
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