粉體行業在線展覽
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刻蝕設備
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中微半導體設備（上海）股份有限公司
上海
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中微公司
刻蝕設備
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作為中微**代電介質刻蝕產品，Primo DRIE?是12英寸雙反應臺多反應腔主機系統，可靈活裝置多達三個雙反應臺反應腔（六個反應臺）。每個反應腔都可以同時加工兩片晶圓。該設備運用了中微具有自主知識產權的創新技術，包括甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應等離子體源、等離子體隔離環、以及用于控制腔體內反應環境的先進工藝組件。Primo DRIE刻蝕設備可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介電系數膜層等所有的電介質材料。Primo DRIE于2007年發布之后，由于其較低的生產成本、較高的生產效率和優異的芯片加工性能，已在國際主流芯片生產線上投入量產。
雙反應臺腔體設計具有更高的產出效率
雙反應臺獨立射頻系統和刻蝕終端控制系統
擁有自主知識產權的射頻匹配系統
擁有自主知識產權的等離子體隔離技術
競爭優勢
高生產效率，低生產成本（CoO）
設備占地面積小
一體整合的除膠能力及表面電荷減除能力（Primo iDEA?系統）
Plasma Scrubber等離子式廢氣處理設備
VOC凈化設備
Preforma Uniflex? CW
PRISMO UniMax? MOCVD設備
PRISMO HiT3? MOCVD設備
PRISMO A7? MOCVD設備
PRISMO D-BLUE?MOCVD設備
Primo Twin-Star? 12 英寸刻蝕設備
Primo nanova?12英寸刻蝕設備
Primo TSV? 高性能、高產能的深硅刻蝕設備
Primo HD-RIE?新一代電介質刻蝕產品
Primo iDEA?雙反應臺刻蝕除膠一體機
熱絲CVD金剛石膜沉積設備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
BTF-1200C-RTP-CVD
自動劃片機
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037
