粉體行業在線展覽
第三代半導體材料減薄設備
面議
芯暉裝備
第三代半導體材料減薄設備
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基本規格 | · 尺寸: 2.99 米(長)x1.42 米(寬)x1.98 米(高)· 重量:8 噸 |
設備構成 | · Loading Port(2sets)· 剛性主軸(2sets)· Chuck table(3sets)· 背膜清洗單元· 搬送單元(Robot) |
**加工尺寸 | · φ 200mm(同時兼容4”、6”、8”) |
加工方式 | · 干進,干出 |
加工能力 | · 同時高效加工2 片 |
生產能力 | · ≥ 6 wafers /h |
晶圓銅霧離子檢查設備-HD
晶圓表面及邊緣檢測設備-SEDI
晶圓邊緣檢測設備-EDI
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晶圓隱裂外觀檢測設備(ADS)
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晶圓隱裂外觀邊緣檢測設備-ADSE
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XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
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BTF-1200C-RTP-CVD
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Gasboard-2060
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定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037