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一、整機簡述 特點/用途 TEMD600電子束多功能蒸發(fā)鍍膜機系統(tǒng)具有真空度高、抽速快、基片裝卸方便的特點。配備E型電子束蒸發(fā)源和2組電阻蒸發(fā)源、可選配在線膜厚檢測系統(tǒng)及離子源清洗及輔助沉積裝置。具有成膜均勻、放氣量小和溫度均勻的優(yōu)點。除了常規(guī)低熔點金屬的蒸鍍以外，TEMD600還可以蒸鍍難熔金屬和非金屬材料等可應用于制備光學薄膜、導電薄膜，半導體薄膜、鐵電薄膜等。 該系列設備廣泛應用于高校、科研院所的教學、科研實驗以及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實驗及開發(fā)新產(chǎn)品等，深受廣大用戶好評。 二、設備主要技術參數(shù) 1.真空腔室 腔室內尺寸Φ600×750mm，不銹鋼腔室通水冷卻； 2.真空系統(tǒng) 復合分子泵+機械泵系統(tǒng),氣動真空閥門，“兩低一高”數(shù)顯復合真空計； 3.極限真空 空載優(yōu)于5.0×10-5Pa（設備空載抽真空24小時）； 4.抽速 空載從大氣抽至5.0×10-4Pa≤40min； 5.漏率 設備升壓率≤0.8Pa/h； 設備保壓：停泵12小時候后，真空≤10Pa； 6.電子槍蒸發(fā)源 功率：8000W；6穴坩堝； 蒸發(fā)源與基片距離≥500mm； 7.電阻蒸發(fā)源 2組金屬蒸發(fā)源；1臺3000W蒸發(fā)電源供2組蒸發(fā)源切換使用； 8.離子源（選配） Φ200px考夫曼離子源（含電源）1臺；預留位置，用戶選配； 9.基片臺尺寸 Φ350mm球罩型基片臺； 10.基片旋轉 旋轉速度：0～20轉/分鐘，可調可控，可加偏壓； 11.基片臺加熱 300℃±1℃； 12.控制方式 PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統(tǒng)；  13.報警及保護 對泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警并執(zhí)行相應保護措施；完善的邏輯程序互鎖保護系統(tǒng)； 14.占地面積 長×寬: 2500×1600mm。