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氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設(shè)備 立式

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直接聯(lián)系

山東力冠微電子裝備有限公司

山東

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價：

面議

品牌：

山東力冠

型號：

氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設(shè)備 立式

關(guān)注度：

924

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品特點/Product Characteristics：

? 基礎(chǔ)工藝包

Basic process package

1.氮化鎵(GaN)單晶生長尺寸: 2英寸

Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches

2.單晶生長速率:≥50微米/小時

Single crystal growth rate:≥50 microns/hour

3.藍(lán)寶石襯底外延生長氮化鎵(GaN)單晶層厚度: < 200微米


產(chǎn)品咨詢

氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設(shè)備 立式

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