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產(chǎn)品摘要

ALD原子沉積設(shè)備可在平面及三維結(jié)構(gòu)材料上沉積薄膜，可用于生長多種氧化物及其復(fù)合薄膜的制備。應(yīng)用于high-K柵極絕緣層、OLED封裝層、太陽能電池鈍化層、鋰離子電池、光學(xué)元件鍍膜、MEMS等。

產(chǎn)品介紹

設(shè)備特點(diǎn)：

★配置高性能薄膜真空計(jì)和大氣壓力檢測真空計(jì)，可實(shí)時(shí)觀察ALD 工藝過程中壓強(qiáng)變化

★自動(dòng)控制軟件，具有CDA報(bào)警以及防溫度失控硬件保護(hù)功能，保障ALD工藝安全性

★沉積材料：HfO2、ZrO2、SnO2、A1203、ZnO、TiO2等，沉積薄膜非均勻性<±2%

★提供38℃氧化鉿工藝for14nm及以下集成電路先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)TEM分析，防止電子束對(duì)低溫光刻膠的損傷和變形，氧化鉿鍍膜3nm工藝時(shí)間＜15min

設(shè)備參數(shù)：

★真空腔室：4英寸樣品沉積反應(yīng)腔，樣品溫度可加熱到150℃，溫度控制精度±0.5℃

★前驅(qū)體源：配置3路前驅(qū)體源：2路加熱金屬前驅(qū)體源和1路常溫水前驅(qū)體源

★抽速：配置高性能雙極旋片真空泵，抽速不小于65m3/h